Analysis of metal insulator transitions in VO2 and V 2O3 for RRAMs
点击次数：
DOI码：10.1016/j.mee.2013.03.015
发表刊物：Microelectronic Engineering
卷号：109
是否译文：否
发表时间：1905-07-05
个人信息 Personal information
学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
电子邮箱：