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郭宇铮
学科： 材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程
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学历：博士研究生毕业 毕业院校：剑桥大学 电子邮箱：

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AlN and Al oxy-nitride gate dielectrics for reliable gate stacks on Ge and InGaAs channels

点击次数： DOI码：10.1063/1.4951004 发表刊物：Journal of Applied Physics 卷号：119 是否译文：否 发表时间：1905-07-08
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