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郭宇铮
学科: 材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程

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学历:博士研究生毕业 毕业院校:剑桥大学 电子邮箱:

High-Throughput Electronic Structures and Ferroelectric Interfaces of HfO2 by GGA+U(d,p) Calculations

点击次数: DOI码:10.1002/pssr.202100295 发表刊物:Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 卷号:15 是否译文: 发表时间:1905-07-13