Carbon cluster formation and mobility degradation in 4H-SiC MOSFETs
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DOI码：10.1063/5.0037241
发表刊物：Applied Physics Letters
卷号：118
是否译文：否
发表时间：1905-07-13
个人信息 Personal information
学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
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