Tellurium nanowire gate-all-around MOSFETs for Sub-5 nm applications
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DOI码：10.1021/acsami.0c18767
发表刊物：ACS Applied Materials and Interfaces
卷号：13
是否译文：否
发表时间：1905-07-13
个人信息 Personal information
学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
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