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郭宇铮
学科: 材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程

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学历:博士研究生毕业 毕业院校:剑桥大学 电子邮箱:

Energetics of intrinsic defects in NiO and the consequences for its resistive random access memory performance

点击次数: DOI码:10.1063/1.4931751 发表刊物:Applied Physics Letters 卷号:107 是否译文: 发表时间:1905-07-07