Defect state passivation at III-V oxide interfaces for complementary metal-oxide-semiconductor devices
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DOI码：10.1063/1.4913832
发表刊物：Journal of Applied Physics
卷号：117
是否译文：否
发表时间：1905-07-07
个人信息 Personal information
学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
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