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郭宇铮
学科: 材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程

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学历:博士研究生毕业 毕业院校:剑桥大学 电子邮箱:

Band structure, band offsets, substitutional doping, and Schottky barriers of bulk and monolayer InSe

点击次数: DOI码:10.1103/PhysRevMaterials.1.044004 发表刊物:Physical Review Materials 卷号:1 是否译文: 发表时间:1905-07-09