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郭宇铮
学科： 材料物理与化学
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学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
电子邮箱：yguo@whu.edu.cn
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论文成果
Defect passivation of transition metal dichalcogenides via a charge transfer van der Waals interface
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DOI码：
10.1126/sciadv.1701661
发表刊物：
Science Advances
卷号：
3
是否译文：
否
发表时间：
1905-07-09
上一条：
Theoretical study on the photocatalytic properties of 2D InX(X = S, Se)/transition metal disulfide (MoS2and WS2) van der Waals heterostructures
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Controllable high-performance memristors based on 2D Fe2GeTe3 oxide for biological synapse imitation
