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郭宇铮

学科：材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程

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学历：博士研究生毕业毕业院校：剑桥大学电子邮箱：

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Selective Passivation of GeO2/Ge Interface Defects in Atomic Layer Deposited High-k MOS Structures

点击次数： DOI码：10.1021/acsami.5b06087 发表刊物：ACS Applied Materials and Interfaces 卷号：7 是否译文：否 发表时间：1905-07-07

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