Schottky barrier height at metal/ZnO interface: A first-principles study
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DOI码：10.1016/j.mee.2019.111056
发表刊物：Microelectronic Engineering
卷号：216
是否译文：否
发表时间：1905-07-11
个人信息 Personal information
学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
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