First-Principles Study of Schottky Barrier Heights on Metal/4H-SiC Polar Interfaces
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DOI码：10.1002/pssb.202400076
发表刊物：Physica Status Solidi (B) Basic Research
是否译文：否
发表时间：1905-07-16
个人信息 Personal information
学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
电子邮箱：yguo@whu.edu.cn