武汉大学主页平台管理系统郭宇铮--中文主页-- Impact of carbon-carbon defects at the SiO2/4H-SiC (0001) interface: A first-principles calculation

个人信息

郭宇铮

学科：材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程

个人信息 Personal information

学历：博士研究生毕业毕业院校：剑桥大学电子邮箱：

论文成果

中文主页 - 科学研究 - 论文成果

Impact of carbon-carbon defects at the SiO2/4H-SiC (0001) interface: A first-principles calculation

点击次数： DOI码：10.1088/1361-6463/ac2bc9 发表刊物：Journal of Physics D: Applied Physics 卷号：55 是否译文：否 发表时间：1905-07-14

上一条：Adsorption mechanism and compatibility of environmentally friendly insulating gas CF3I and its main decomposition products with Al and Cu(1 1 1) surfaces 下一条：Machine-learning-assisted discovery of highly efficient high-entropy alloy catalysts for the oxygen reduction reaction