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郭宇铮
学科: 材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程

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学历:博士研究生毕业 毕业院校:剑桥大学 电子邮箱:

Reduced Fermi Level Pinning at Physisorptive Sites of Moire-MoS2/Metal Schottky Barriers

点击次数: DOI码:10.1021/acsami.1c23918 发表刊物:ACS Applied Materials and Interfaces 卷号:14 是否译文: 发表时间:1905-07-14