教师个人主页
首页
科学研究
研究领域
论文成果
专利
著作成果
科研项目
科研团队
教学研究
教学资源
授课信息
教学成果
获奖信息
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
更多
新闻网
中文官网
手机版
En
个人信息
郭宇铮
学科: 材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程
MORE +
个人信息
Personal information
学历:博士研究生毕业
毕业院校:剑桥大学
电子邮箱:
5d7ae887adfc20923a97d42d7ee766b4ba62a243885b82192957e32f090fccdd6969e3df201897ae1328403e3aa476dc02309601becbb0a65c920e04e10db3623ce596e13e03055f0c8dbeb7206e4ee8d95541f57aaf546a34ee1d57672d6f1de8f7f874c3c7ff3e4a9e55b3cd1acf6254fb2eb03253601624afb0bb4037ce98
论文成果
中文主页
-
科学研究
-
论文成果
P-Type Semiconduction in Oxides with Cation Lone Pairs
点击次数:
DOI码:
10.1021/acs.chemmater.1c03323
发表刊物:
Chemistry of Materials
卷号:
34
是否译文:
否
发表时间:
1905-07-14
上一条:
Theoretical study of the interface engineering for H-diamond field effect transistors with h-BN gate dielectric and graphite gate
下一条:
Mechanical characterizations of η′-Cu6(Sn, In)5 intermetallic compound solder joint: Getting prepared for future nanobumps