武汉大学主页平台管理系统肖湘衡--中文主页-- Modulating the threshold voltage of oxide nanowire field-effect transistors by a Ga+ ion beam

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Modulating the threshold voltage of oxide nanowire field-effect transistors by a Ga+ ion beam: 点击次数：; 发表刊物： NANO RESEARCH; 卷号： 7; 期号： 11; ISSN号： 1998-0124; 是否译文：否; 发表时间： 2014-01-01

下一条： Influence of annealing mode on the growth of Cu and Ag nanoclusters produced by sequential ion implantation into silica

博士生导师硕士生导师

性别：男

学历：研究生毕业

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