郭立平

+

其他联系方式

  • 邮编:

  • 传真:

  • 通讯/办公地址:

  • 办公室电话:

  • 邮箱:

专利

当前位置: 中文主页 > 科学研究 > 专利

一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法

  • 发布时间:2021-01-01
  • 点击次数:
  • 授权号:CN201210106104.1
  • 是否职务专利:

Copyright武汉大学2017 地址:湖北省武汉市武昌区八一路299号 邮编:430072
鄂ICP备05003330鄂公网安备42010602000219