Light induced instability mechanism in amorphous InGaZn oxide semiconductors
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DOI码：10.1063/1.4872227
发表刊物：Applied Physics Letters
卷号：104
是否译文：否
发表时间：1905-07-06
个人信息 Personal information
学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
电子邮箱：yguo@whu.edu.cn