Metal silicide Schottky barriers on Si and Ge show weaker Fermi level pinning
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DOI码：10.1063/1.4742861
发表刊物：Applied Physics Letters
卷号：101
是否译文：否
发表时间：1905-07-04
个人信息 Personal information
学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
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