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郭宇铮
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学历：博士研究生毕业
毕业院校：剑桥大学
电子邮箱：yguo@whu.edu.cn
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论文成果
Hydrogen and the Light-Induced Bias Instability Mechanism in Amorphous Oxide Semiconductors
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DOI码：
10.1038/s41598-017-17290-5
发表刊物：
Scientific Reports
卷号：
7
是否译文：
否
发表时间：
1905-07-09
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Band edge states, intrinsic defects, and dopants in monolayer HfS2 and SnS2
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