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郭宇铮
学科: 材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程
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学历:博士研究生毕业
毕业院校:剑桥大学
电子邮箱:
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Anisotropic Transport Property of Antimonene MOSFETs
点击次数:
DOI码:
10.1021/acsami.0c04662
发表刊物:
ACS Applied Materials and Interfaces
卷号:
12
是否译文:
否
发表时间:
1905-07-12
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Defects and reliability of high K gate stacks on Si, Ge and III-Vs
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Impact of the interface vacancy on Schottky barrier height for Au/AlN polar interfaces