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郭宇铮
学科: 材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程

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学历:博士研究生毕业 毕业院校:剑桥大学 电子邮箱:

Defects and reliability of high K gate stacks on Si, Ge and III-Vs

点击次数: DOI码:10.1109/ICSICT.2016.7998961 发表刊物:2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2016 - Proceedings 是否译文: 发表时间:1905-07-08