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郭宇铮
学科: 材料物理与化学
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学历:博士研究生毕业
毕业院校:剑桥大学
电子邮箱:yguo@whu.edu.cn
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论文成果
A new opportunity for the emerging tellurium semiconductor: making resistive switching devices
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DOI码:
10.1038/s41467-021-26399-1
发表刊物:
Nature Communications
卷号:
12
是否译文:
否
发表时间:
1905-07-13
上一条:
First-principles study of oxygen vacancy defects in orthorhombic Hf0.5Zr0.5O2/SiO2/Si gate stack
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Manipulating the sublattice distortion induced by Mn2+ doping for boosting the emission characteristics of self-trapped excitons in Cs4SnBr6