武汉大学主页平台管理系统郭宇铮--中文主页-- A new opportunity for the emerging tellurium semiconductor: making resistive switching devices

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郭宇铮

学科：材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程

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学历：博士研究生毕业毕业院校：剑桥大学电子邮箱：

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A new opportunity for the emerging tellurium semiconductor: making resistive switching devices

点击次数： DOI码：10.1038/s41467-021-26399-1 发表刊物：Nature Communications 卷号：12 是否译文：否 发表时间：1905-07-13

上一条：First-principles study of oxygen vacancy defects in orthorhombic Hf0.5Zr0.5O2/SiO2/Si gate stack 下一条：Manipulating the sublattice distortion induced by Mn2+ doping for boosting the emission characteristics of self-trapped excitons in Cs4SnBr6