武汉大学主页平台管理系统郭宇铮--中文主页-- First-principles study of oxygen vacancy defects in orthorhombic Hf0.5Zr0.5O2/SiO2/Si gate stack

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郭宇铮

学科：材料物理与化学
电工理论与新技术
机械电子工程

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学历：博士研究生毕业毕业院校：剑桥大学电子邮箱：

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First-principles study of oxygen vacancy defects in orthorhombic Hf0.5Zr0.5O2/SiO2/Si gate stack

点击次数： DOI码：10.1063/5.0106750 发表刊物：Journal of Applied Physics 卷号：132 是否译文：否 发表时间：1905-07-14

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