English
中文
新闻网
中文官网
手机版
张召富
首页
科学研究
研究领域
论文成果
专利
著作成果
科研项目
科研团队
教学研究
教学资源
授课信息
教学成果
获奖信息
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
微信扫描
当前位置:
中文主页
>研究方向
研究方向
基于第一性原理计算、分子动力学、有限元和机器学习的宽禁带半导体材料与器件理性设计(围绕GaN, SiC, Diamond, Ga2O3等)
基于第一性原理计算、分子动力学、有限元和机器学习的宽禁带半导体材料与器件理性设计(围绕GaN, SiC, Diamond, Ga2O3等)