张召富

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基于第一性原理计算、分子动力学、有限元和机器学习的宽禁带半导体材料与器件理性设计(围绕GaN, SiC, Diamond, Ga2O3等)

基于第一性原理计算、分子动力学、有限元和机器学习的宽禁带半导体材料与器件理性设计(围绕GaN, SiC, Diamond, Ga2O3等)