张召富
- 博士生导师
- 硕士生导师
- 电子邮箱：
- 职务：教授
- 学历：博士研究生毕业
- 性别：男
- 在职信息：在职
- 毕业院校：Hong Kong University of Science and Technology
- 所属院系： 工业科学研究院
- 学科：
张召富，教授，武汉大学工业科学研究院。学院官网个人主页：https://technology.whu.edu.cn/info/1015/1890.htm
致力于（1）宽禁带半导体(GaN, SiC, Diamond, Ga2O3等)材料、界面、器件、工艺、封装的多场多尺度建模仿真与集成 ；（2）基于第一性原理计算、分子动力学、有限元和机器学习的半导体材料与器件的理性设计与应用；（3）半导体材料的缺陷、界面、金属接触特性的建模仿真，及其对器件性能影响；（4）集成芯片封装工艺多物理场仿真与集成；（5）宽禁带半导体器件制备与表征，半导体器件物理。
致力于电子材料与器件设计相关领域，已经在APL, IEEE TED, IEEE EDL, ACS AMI, AM, Nat. Comm.等期刊发表SCI期刊论文120余篇，其中第一/通讯作者70余篇；做会议特邀报告5次；发表电子器件领域旗舰会议IEEE IEDM共6篇，含一作1篇；发表功率半导体器件与集成电路领域旗舰会议IEEE ISPSD共8篇，含通讯1篇；撰写Wiley英文专著1章节；谷歌学术h-index为34，引用3800余次。完整文章列表参考：
Google Scholar链接：https://scholar.google.com/citations?user=GqUdqyIAAAAJ&hl=en
ResearchGate链接：https://www.researchgate.net/profile/Zhaofu-Zhang-4/research
Web of Science链接：https://www.webofscience.com/wos/author/record/1990500
欢迎宽禁带半导体器件、电子器件建模仿真、计算材料学、新型半导体材料、半导体器件物理、器件工艺与制备、材料表征、第一性原理、分子动力学、电子封装等背景的同学来联系报考（保送、考研）硕士和（申请-考核制）博士研究生。请申请者发送简历与代表作至本人邮箱，标题应为“申请硕士/博士-姓名-毕业学校”，简历应为英文。
宽禁带材料与器件组
季雯
冯嘉仁
费肖禹
殷长帅
刘太巧
2022-5····至今
工业科学研究院 | 武汉大学 | 教授
2019-1····2022-3
电子工程系 | 剑桥大学 | Research Associate
2014-8····2018.11
香港科技大学 | 电子及计算机工程学系 | 博士研究生毕业 | 博士
2010-9····2014.6
南开大学 | 微电子学 | 理学学士学位 | 本科(学士)
担任第29届非晶和纳米晶半导体国际会议（ICANS29）分会主席（Session Chair）
担任期刊InfoMat青年编委，2023-2025（一区，Q1，影响因子22.7）
担任期刊Nano-Micro Lett.青年编委，（一区，Q1，影响因子26.6）
担任期刊J. Mater. Sci. Technol.青年编委，（一区，Q1，影响因子10.9）
担任期刊Rare Metals青年编委, （中科院一区, Q1, IF=8.8）
担任期刊Materials Futures青年编委, 2022-2023
担任武汉大学学报（理学版） 青年编委，2022-2025（中文核心）
IEEE Member
担任二十余个SCI期刊审稿人
- 邮箱：