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研发金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-diamond HEMTs), 利用金刚石超高热导率进行高效热管理，提高器件功率。
代表作：ACS Applied Materials & Interfaces, 2019, 11(43): 40826-40834.
AIP Advances 10, 035306 (2020).
Applied Physics Express,14, 055502,2021
